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基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法

文献类型:期刊论文

作者张锋; 周玉梅; 黄令仪
刊名半导体学报
出版日期2004
卷号25期号:9页码:1169-1174
关键词漏电流功耗 堆积因子 有效宽度 高阻态
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法,该方法计算快速高效,实用性强,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术.在设计龙芯Ⅱ号CPU中的全定制IP时应用了此方法,该芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺技术.为了验证该方法,把计算结果与Synopsys公司的Nanosim仿真结果进行对比,误差只有10%左右.由于软件仿真需要大量的测试激励与计算时间,而该方法不需要外加测试激励便可以计算出全定制IP漏电流功耗,并能快速找到其模块所在位置,使设计周期大为缩短,因此完全可以针对这种计算方法开发相应软件及进行应用。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/962]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张锋,周玉梅,黄令仪. 基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法[J]. 半导体学报,2004,25(9):1169-1174.
APA 张锋,周玉梅,&黄令仪.(2004).基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法.半导体学报,25(9),1169-1174.
MLA 张锋,et al."基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法".半导体学报 25.9(2004):1169-1174.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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