基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法
文献类型:期刊论文
作者 | 张锋![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2004 |
卷号 | 25期号:9页码:1169-1174 |
关键词 | 漏电流功耗 堆积因子 有效宽度 高阻态 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法,该方法计算快速高效,实用性强,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术.在设计龙芯Ⅱ号CPU中的全定制IP时应用了此方法,该芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺技术.为了验证该方法,把计算结果与Synopsys公司的Nanosim仿真结果进行对比,误差只有10%左右.由于软件仿真需要大量的测试激励与计算时间,而该方法不需要外加测试激励便可以计算出全定制IP漏电流功耗,并能快速找到其模块所在位置,使设计周期大为缩短,因此完全可以针对这种计算方法开发相应软件及进行应用。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/962] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张锋,周玉梅,黄令仪. 基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法[J]. 半导体学报,2004,25(9):1169-1174. |
APA | 张锋,周玉梅,&黄令仪.(2004).基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法.半导体学报,25(9),1169-1174. |
MLA | 张锋,et al."基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法".半导体学报 25.9(2004):1169-1174. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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