蓝宝石衬底AlGaN／GaN功率HEMTs研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴德馨 ; 陈晓娟; 邵刚; 刘新宇; 和致经; 刘键; 魏珂
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:3页码:381-384 |
| 关键词 | Algan／gan Hemt 微波功率 单位截止频率 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN／GaN HEMTs功率器件，器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明，器件电流密度0．784A／mm，跨导197mS／mm，关态击穿电压>80V，截止态漏电很小，栅宽1mm的器件的单位截止频率(fT)达到20GHz，最大振荡频率(fmax)28GHz，2GHz脉冲测试下，栅宽0．75mm器件，功率增益11．8dB，输出功率31．2dBm，功率密度1．75W／mm。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/966]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴德馨,陈晓娟,邵刚,等. 蓝宝石衬底AlGaN／GaN功率HEMTs研制[J]. 电子器件,2004,27(3):381-384. |
| APA | 吴德馨.,陈晓娟.,邵刚.,刘新宇.,和致经.,...&魏珂.(2004).蓝宝石衬底AlGaN／GaN功率HEMTs研制.电子器件,27(3),381-384. |
| MLA | 吴德馨,et al."蓝宝石衬底AlGaN／GaN功率HEMTs研制".电子器件 27.3(2004):381-384. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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