硅射频微带电路S参数模拟研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩振宇; 李树翀; 汪锁发; 赵知夷 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:2页码:241-244 |
| 关键词 | 硅片 微带电路 S参数 反射 传输 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对不同电阻率硅片射频微带电路s参数进行了模拟研究。建立了5层结构的微带电路物理结构模型，对两种电阻率硅片上不同尺寸(2×10^-5m到20×10^-5m)微带线1～10GHz频率范围内的S11和S21参数进行模拟计算。研究结果表明：减少低电阻率硅片(3～8Ω·cm)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益；高电阻率硅片(130～150Ω·cm)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好。频率越高，高阻硅片微带电路的高频性能更好。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/984]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩振宇,李树翀,汪锁发,等. 硅射频微带电路S参数模拟研究[J]. 电子器件,2004,27(2):241-244. |
| APA | 韩振宇,李树翀,汪锁发,&赵知夷.(2004).硅射频微带电路S参数模拟研究.电子器件,27(2),241-244. |
| MLA | 韩振宇,et al."硅射频微带电路S参数模拟研究".电子器件 27.2(2004):241-244. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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