AIGaN／GaN异质结极化行为与二维电子气
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏浑; 薛丽君; 陈宝钦 ; 刘明; 王燕
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 29期号:7页码:63-65,56 |
| 关键词 | Aigan／gan 异质结 极化 二维电子气 2deg |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | AIGaN／GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AIGaN／GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性，着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度，而且还能使其迁移率得到提高。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/986]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏浑,薛丽君,陈宝钦,等. AIGaN／GaN异质结极化行为与二维电子气[J]. 半导体技术,2004,29(7):63-65,56. |
| APA | 夏浑,薛丽君,陈宝钦,刘明,&王燕.(2004).AIGaN／GaN异质结极化行为与二维电子气.半导体技术,29(7),63-65,56. |
| MLA | 夏浑,et al."AIGaN／GaN异质结极化行为与二维电子气".半导体技术 29.7(2004):63-65,56. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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