低偏置电压工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 郑丽萍; 孙海锋; 狄浩成; 樊宇伟; 吴德馨; 王素琴
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:8页码:908-912 |
| 关键词 | 自对准 Ingap 功率双异质结晶体管 低偏置电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性．功率测试结果显示：当器件工作在AB类，工作频率为2GHz，集电极偏置电压仅为3V时，尺寸为2×(3μm×15μm)×12的功率管获得了最大输出功率为23dBm，最大功率附加效率为45％，线性增益为10dB的良好性能． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/990]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,郑丽萍,孙海锋,等. 低偏置电压工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管[J]. 半导体学报,2004,25(8):908-912. |
| APA | 刘新宇.,郑丽萍.,孙海锋.,狄浩成.,樊宇伟.,...&王素琴.(2004).低偏置电压工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管.半导体学报,25(8),908-912. |
| MLA | 刘新宇,et al."低偏置电压工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管".半导体学报 25.8(2004):908-912. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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