减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗明雄; 汪宁; 袁志鹏; 刘训春; 孙海峰; 石瑞英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:8页码:991-994 |
| 关键词 | 自对准工艺 减小发射极宽度 提高ingap／gaas Hbt的性能 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了发射极宽度为2pm的InGaP／GaAs HBT．发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz，且集电极电流密度为7×10^A／cm^2时仍没有出现明显的自热效应．它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAsHBT的有了显著提高，并对器件性能提高的原因进行了分析． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/992]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗明雄,汪宁,袁志鹏,等. 减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能[J]. 半导体学报,2004,25(8):991-994. |
| APA | 罗明雄,汪宁,袁志鹏,刘训春,孙海峰,&石瑞英.(2004).减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能.半导体学报,25(8),991-994. |
| MLA | 罗明雄,et al."减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能".半导体学报 25.8(2004):991-994. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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