发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗明雄; 石瑞英; 孙海锋; 袁志鹏; 汪宁 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:7页码:831-835 |
| 关键词 | 发射极镇流电阻 In0.49ga0.51p／gaas Hbt 直流特性 高频特性 Eeacc 1350f 2560b 2560j 2560z |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频特性的影响，并对实验现象进行了理论分析． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/996]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗明雄,石瑞英,孙海锋,等. 发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响[J]. 半导体学报,2004,25(7):831-835. |
| APA | 罗明雄,石瑞英,孙海锋,袁志鹏,&汪宁.(2004).发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响.半导体学报,25(7),831-835. |
| MLA | 罗明雄,et al."发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响".半导体学报 25.7(2004):831-835. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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