双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 陈震; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:7页码:836-840 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管（hemt） 电荷控制模型 异质结 二维电子气 双平面掺杂 Eeacc 1350a 2560s |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型．计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度，栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系．该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/998]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,陈震,吴德馨. 双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型[J]. 半导体学报,2004,25(7):836-840. |
| APA | 刘新宇,陈震,&吴德馨.(2004).双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型.半导体学报,25(7),836-840. |
| MLA | 刘新宇,et al."双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型".半导体学报 25.7(2004):836-840. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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