深亚微米设计中天线效应的消除
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶青; 黄令仪; 杨旭; 周玉梅
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:7页码:879-883 |
| 关键词 | Pae效应 等离子 栅氧化层 可靠性 Eeacc 1265a 2570a |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 分析了PAE效应(process antenna effect)的成因，并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法．其方法应用于“龙芯-ICPU”的后端设计，保证了投片的一次成功． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1000]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶青,黄令仪,杨旭,等. 深亚微米设计中天线效应的消除[J]. 半导体学报,2004,25(7):879-883. |
| APA | 叶青,黄令仪,杨旭,&周玉梅.(2004).深亚微米设计中天线效应的消除.半导体学报,25(7),879-883. |
| MLA | 叶青,et al."深亚微米设计中天线效应的消除".半导体学报 25.7(2004):879-883. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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