ISM频段中功率功率放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 白大夫; 钱永学; 袁志鹏 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:6页码:626-632 |
| 关键词 | 异质结双极型晶体管 功率放大器 偏置网络 增益压缩 静态偏置电流 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用三指单胞的InGaP／GaAs HBT提取的大信号模型参数，设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器·通过对传统偏置网络的优化，消除了小信号下的增益压缩．在3．5V电压下，该放大器的最大线性输出功率为30dBm，增益达到29·1dB，对应的功率附加效率为43．40，临近沟道抑制比达到-100dBc，而静态偏置电流很低，只有109．7mA． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1002]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,白大夫,钱永学,等. ISM频段中功率功率放大器[J]. 半导体学报,2004,25(6):626-632. |
| APA | 刘训春,白大夫,钱永学,&袁志鹏.(2004).ISM频段中功率功率放大器.半导体学报,25(6),626-632. |
| MLA | 刘训春,et al."ISM频段中功率功率放大器".半导体学报 25.6(2004):626-632. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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