SCDI结构快闪存储器件Ⅱ：实验与器件特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧文; 钱鹤 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:5页码:497-501 |
| 关键词 | Scdi器件 快闪存储器 编程速度 工艺优化 关键技术 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用1．2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件，该种器件具有良好的器件特性，在Vg=6V，Vd=5V的编程条件下，SCDI器件的编程速度是42μs，在Vg=8V，Vb=8V的擦除条件下，SCDI器件的擦除速度是24ms，与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比，SCDI器件的特性得到了显著地提高，在制作SCDI器件的工艺中，关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶，同时减少在制作Si3N4侧墙的刻蚀损伤。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1006]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧文,钱鹤. SCDI结构快闪存储器件Ⅱ：实验与器件特性[J]. 半导体学报,2004,25(5):497-501. |
| APA | 欧文,&钱鹤.(2004).SCDI结构快闪存储器件Ⅱ：实验与器件特性.半导体学报,25(5),497-501. |
| MLA | 欧文,et al."SCDI结构快闪存储器件Ⅱ：实验与器件特性".半导体学报 25.5(2004):497-501. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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