SCDI结构快闪存储器件Ⅰ：模拟与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧文; 钱鹤 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:4页码:361-365 |
| 关键词 | Scdi 快闪存储器 编程速度 优化 低电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件，通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式，从而获得了高的编程速度和注入效率，降低了工作电压．并对SCDI器件结构和常规器件结构进行了模拟分析，提出了改进SCDI器件性能的优化方案。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1014]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧文,钱鹤. SCDI结构快闪存储器件Ⅰ：模拟与分析[J]. 半导体学报,2004,25(4):361-365. |
| APA | 欧文,&钱鹤.(2004).SCDI结构快闪存储器件Ⅰ：模拟与分析.半导体学报,25(4),361-365. |
| MLA | 欧文,et al."SCDI结构快闪存储器件Ⅰ：模拟与分析".半导体学报 25.4(2004):361-365. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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