电子束散射角限制投影光刻掩模研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨清华 ; 董立军; 李兵; 陈宝钦; 刘明; 叶甜春; 陈大鹏
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| 刊名 | 光电工程
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 31期号:4页码:13-16 |
| 关键词 | 电子束光刻 掩模 投影光刻 |
| ISSN号 | 1003-501X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术。通过优化工艺，制作出具有“纳米硅镶嵌结构”的低应力SiNx薄膜作为支撑；开发了电子束直写胶图形的加法工艺，在支撑薄膜上得到清晰的钨／铬散射体图形。研制出的SCALPEL掩模，其晶片尺寸为80mm，图形线宽达到O.1μm，经缩小投影曝光得78nm的图形分辨力。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1016]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨清华,董立军,李兵,等. 电子束散射角限制投影光刻掩模研制[J]. 光电工程,2004,31(4):13-16. |
| APA | 杨清华.,董立军.,李兵.,陈宝钦.,刘明.,...&陈大鹏.(2004).电子束散射角限制投影光刻掩模研制.光电工程,31(4),13-16. |
| MLA | 杨清华,et al."电子束散射角限制投影光刻掩模研制".光电工程 31.4(2004):13-16. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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