N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵洪辰; 海潮和; 连军; 杨荣; 韩郑生
|
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:1页码:69-71 |
| 关键词 | Soi Simox 全耗尽 Cmos |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料，对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究，开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大，且泄漏电流很小，在工作电压为3V时，1．2μm101级环振的单级延迟仅为50．5ps。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1022]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵洪辰,海潮和,连军,等. N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J]. 电子器件,2004,27(1):69-71. |
| APA | 赵洪辰,海潮和,连军,杨荣,&韩郑生.(2004).N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究.电子器件,27(1),69-71. |
| MLA | 赵洪辰,et al."N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究".电子器件 27.1(2004):69-71. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。