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深亚微米VLSI设计中的Crosstalk问题分析及消除

文献类型:期刊论文

作者陈守顺; 黄令仪; 蒋见花; 胡伟武
刊名电子与封装
出版日期2004
卷号4期号:3页码:48-50,41
关键词Vlsi Crosstalk 耦合电容
ISSN号1681-1070
产权排序1
英文摘要随着特征尺寸降低到0.18μm以下,crosstalk日渐成为影响芯片设计成功与否的关键问题。本文分析了的深亚微米VLSI设计中由耦合电容造成的信号间的crosstalk问题,给出了一种峰值噪声电压的估计模型,并结合“龙芯一号”的设计,讨论了利用EDA工具解决crosstalk问题的流程。
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1028]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈守顺,黄令仪,蒋见花,等. 深亚微米VLSI设计中的Crosstalk问题分析及消除[J]. 电子与封装,2004,4(3):48-50,41.
APA 陈守顺,黄令仪,蒋见花,&胡伟武.(2004).深亚微米VLSI设计中的Crosstalk问题分析及消除.电子与封装,4(3),48-50,41.
MLA 陈守顺,et al."深亚微米VLSI设计中的Crosstalk问题分析及消除".电子与封装 4.3(2004):48-50,41.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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