RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘新宇 ; 刘键; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 钱鹤; 李晋闽
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:2页码:121-125 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管 氮化镓 场效应晶体管 Rf—mbe |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2，77K迁移率为2653cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管材料，用此材料研制的器件(栅长为1μm，栅宽为80μm，源一漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS／mm，最大漏极饱和电流密度为925mA／mm，特征频率为18．8GHz。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1034]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,胡国新,王军喜,等. RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性[J]. 半导体学报,2004,25(2):121-125. |
| APA | 王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘新宇.,刘键.,...&林兰英.(2004).RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性.半导体学报,25(2),121-125. |
| MLA | 王晓亮,et al."RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性".半导体学报 25.2(2004):121-125. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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