现代光刻技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶甜春 ; 陈大鹏
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:2页码:81-86 |
| 关键词 | 光刻 分辨力 X射线光刻技术 电子束直写 极紫外线投影光刻 离子束投影光刻 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 作为当前集成电路制造的主流技术，光学光刻在趋近其分辨力极限的同时，面临着越来越大的挑战，即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下，光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式X射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软X射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为100-70nm的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前NGL技术发展的趋势和市场需求的多元化来看，竞争的结果很可能是各种NGL技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100n／n)以后，最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1040]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,陈大鹏. 现代光刻技术[J]. 核技术,2004,27(2):81-86. |
| APA | 叶甜春,&陈大鹏.(2004).现代光刻技术.核技术,27(2),81-86. |
| MLA | 叶甜春,et al."现代光刻技术".核技术 27.2(2004):81-86. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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