50nm X射线光刻掩模制备关键技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶甜春 ; 伊福廷; 彭良强; 张菊芳; 韩勇; 董立军; 陈大鹏; 谢常青; 韩敬东
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:2页码:96-98 |
| 关键词 | X射线光刻 掩模 金刚石 吸收体 键合 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | X射线光刻(XRL)采用约1nm波长的X射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是XRL开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于50nm XRL的掩模制备的关键技术。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1042]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,伊福廷,彭良强,等. 50nm X射线光刻掩模制备关键技术[J]. 核技术,2004,27(2):96-98. |
| APA | 叶甜春.,伊福廷.,彭良强.,张菊芳.,韩勇.,...&韩敬东.(2004).50nm X射线光刻掩模制备关键技术.核技术,27(2),96-98. |
| MLA | 叶甜春,et al."50nm X射线光刻掩模制备关键技术".核技术 27.2(2004):96-98. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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