用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦 ; 冯伯儒; 张锦; 宗德蓉; 刘娟; 刘明
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| 刊名 | 光电工程
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 31期号:1页码:1-4,39 |
| 关键词 | 激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 无铬相移掩模 交替相移掩模 衰减相移掩模 混合相移掩模 |
| ISSN号 | 1003-501X |
| 英文摘要 | 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM)，交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明，无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM相结合构成的混合掩模最适合用193nmArF光刻，以产生100nm节点抗蚀剂图形。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1044]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,冯伯儒,张锦,等. 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术[J]. 光电工程,2004,31(1):1-4,39. |
| APA | 陈宝钦,冯伯儒,张锦,宗德蓉,刘娟,&刘明.(2004).用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术.光电工程,31(1),1-4,39. |
| MLA | 陈宝钦,et al."用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术".光电工程 31.1(2004):1-4,39. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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