ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吉元; 王晓冬; 李志国; 卢振军; 夏洋; 刘丹敏; 肖卫强 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 32期号:8页码:1302-1304 |
| 关键词 | Cu互连线 晶体学取向 晶粒尺寸 电徙动 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 英文摘要 | 观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向．分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响．Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小．与平坦Cu膜相比，Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的(111)织构．300℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111)织构发展，从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力．结果表明，Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散，而对于较窄线宽的Cu互连线，界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1048]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉元,王晓冬,李志国,等. ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性[J]. 电子学报,2004,32(8):1302-1304. |
| APA | 吉元.,王晓冬.,李志国.,卢振军.,夏洋.,...&肖卫强.(2004).ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性.电子学报,32(8),1302-1304. |
| MLA | 吉元,et al."ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性".电子学报 32.8(2004):1302-1304. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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