闪速存储器的单管多位技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李多力; 欧文 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 34期号:3页码:241-245 |
| 关键词 | 闪速存储器 单管多位技术 多级单元 Sonos |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 为了在现有务件下进一步降低闪速存储器的单位成本，已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1052]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李多力,欧文. 闪速存储器的单管多位技术[J]. 微电子学,2004,34(3):241-245. |
| APA | 李多力,&欧文.(2004).闪速存储器的单管多位技术.微电子学,34(3),241-245. |
| MLA | 李多力,et al."闪速存储器的单管多位技术".微电子学 34.3(2004):241-245. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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