薄栅氧高压CMOS器件研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 刘奎伟; 陈则瑞; 于洋; 仙文岭; 饶竞时; 钱鹤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:5页码:568-572 |
| 关键词 | 0．5μm 高压cmos 高低压兼容 Cmos工艺 驱动电路 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程，并成功进行了流片试验．测试结果显示，高压NMOS耐压达到98V，高压PMOS耐压达到-66V．此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1056]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,刘奎伟,陈则瑞,等. 薄栅氧高压CMOS器件研制[J]. 半导体学报,2004,25(5):568-572. |
| APA | 韩郑生.,刘奎伟.,陈则瑞.,于洋.,仙文岭.,...&钱鹤.(2004).薄栅氧高压CMOS器件研制.半导体学报,25(5),568-572. |
| MLA | 韩郑生,et al."薄栅氧高压CMOS器件研制".半导体学报 25.5(2004):568-572. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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