晶向对InGaP／GaAs HBT性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁志鹏; 刘训春; 孙海峰; 石瑞英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:4页码:446-449 |
| 关键词 | Ingap／gaas Hbt晶向效应 直流电流增益 截止频率 压电效应 侧向腐蚀 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 在对InGaP／GaAs HBT特性的研究中发现，发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([011]方向)放置时，其直流电流增益和截止频率是不同的，[011]方向的直流电流增益远远大于[011]方向，而它的截止频率则略小于[011]方向，文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的，但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性，文中用压电效应和两个互相垂直方向上发射区侧向腐蚀形状的不同很好地解释了所有实验结果。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1058]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁志鹏,刘训春,孙海峰,等. 晶向对InGaP／GaAs HBT性能的影响[J]. 半导体学报,2004,25(4):446-449. |
| APA | 袁志鹏,刘训春,孙海峰,&石瑞英.(2004).晶向对InGaP／GaAs HBT性能的影响.半导体学报,25(4),446-449. |
| MLA | 袁志鹏,et al."晶向对InGaP／GaAs HBT性能的影响".半导体学报 25.4(2004):446-449. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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