新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏珂 ; 吴德馨; 陈震; 和致经; 刘新宇
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:4页码:454-457 |
| 关键词 | Phemt 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件，采用双选择腐蚀栅槽结构，有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压,对于1μm栅长的器件，最大输出电流为500mA／mm，跨导为275mS／mm，阈值电压为-1．4V，最大栅漏反向击穿电压达到了33V，研究结果表明，在栅源间距一定时，栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系，是设计功率PHEMT的关键之一。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1060]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,吴德馨,陈震,等. 新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT[J]. 半导体学报,2004,25(4):454-457. |
| APA | 魏珂,吴德馨,陈震,和致经,&刘新宇.(2004).新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT.半导体学报,25(4),454-457. |
| MLA | 魏珂,et al."新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT".半导体学报 25.4(2004):454-457. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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