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钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响

文献类型:期刊论文

作者郑丽萍; 刘新宇; 孙海锋; 和致经; 吴德馨; 袁志鹏
刊名半导体学报
出版日期2004
卷号25期号:3页码:312-315
关键词钝化边 直流增益 异质结双极晶体管
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1064]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑丽萍,刘新宇,孙海锋,等. 钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响[J]. 半导体学报,2004,25(3):312-315.
APA 郑丽萍,刘新宇,孙海锋,和致经,吴德馨,&袁志鹏.(2004).钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响.半导体学报,25(3),312-315.
MLA 郑丽萍,et al."钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响".半导体学报 25.3(2004):312-315.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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