钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 郑丽萍; 刘新宇![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2004 |
卷号 | 25期号:3页码:312-315 |
关键词 | 钝化边 直流增益 异质结双极晶体管 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1064] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑丽萍,刘新宇,孙海锋,等. 钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响[J]. 半导体学报,2004,25(3):312-315. |
APA | 郑丽萍,刘新宇,孙海锋,和致经,吴德馨,&袁志鹏.(2004).钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响.半导体学报,25(3),312-315. |
MLA | 郑丽萍,et al."钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响".半导体学报 25.3(2004):312-315. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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