新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石瑞英; 孙海锋; 袁志鹏; 刘训春; 王润梅 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:3页码:316-320 |
| 关键词 | 电子运动速度过冲 复合收集区 异质结双极晶体管 直流和射频特性 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 利用电子运动速度过冲现象，设计出了一种新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管．这种结构不仅提高了器件的截止频率，而且降低了影响器件直流性能的补偿电压．所制备器件的截止频率达到77GHz，直流电流增益高达100，补偿电压低至70mV．同时，把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较，充分显示了这种结构的优越性． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1066]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石瑞英,孙海锋,袁志鹏,等. 新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性[J]. 半导体学报,2004,25(3):316-320. |
| APA | 石瑞英,孙海锋,袁志鹏,刘训春,&王润梅.(2004).新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性.半导体学报,25(3),316-320. |
| MLA | 石瑞英,et al."新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性".半导体学报 25.3(2004):316-320. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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