0.25μm GaAs基MHEMT器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石华芬; 刘训春; 张海英; 石瑞英; 王润梅; 汪宁; 罗明雄 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:3页码:325-328 |
| 关键词 | 铟铝砷／铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达490mA／mm，截止频率为75GHz，比同样工艺条件下GaAs基InGaP／InGaAs PHEMT的性能有很大的提高．对该器件工艺及结果进行了分析，提取了器件的交流小信号等效电路模型参数，并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1068]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石华芬,刘训春,张海英,等. 0.25μm GaAs基MHEMT器件[J]. 半导体学报,2004,25(3):325-328. |
| APA | 石华芬.,刘训春.,张海英.,石瑞英.,王润梅.,...&罗明雄.(2004).0.25μm GaAs基MHEMT器件.半导体学报,25(3),325-328. |
| MLA | 石华芬,et al."0.25μm GaAs基MHEMT器件".半导体学报 25.3(2004):325-328. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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