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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

文献类型:期刊论文

作者孙加兴; 叶甜春; 陈大鹏; 谢常青; 伊福庭
刊名半导体学报
出版日期2004
卷号25期号:3页码:358-360
关键词X射线光刻 Phemt T型栅 三层胶工艺
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1070]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孙加兴,叶甜春,陈大鹏,等. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J]. 半导体学报,2004,25(3):358-360.
APA 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,&伊福庭.(2004).用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅.半导体学报,25(3),358-360.
MLA 孙加兴,et al."用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅".半导体学报 25.3(2004):358-360.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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