用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
文献类型:期刊论文
作者 | 孙加兴; 叶甜春![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2004 |
卷号 | 25期号:3页码:358-360 |
关键词 | X射线光刻 Phemt T型栅 三层胶工艺 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1070] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,等. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J]. 半导体学报,2004,25(3):358-360. |
APA | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,&伊福庭.(2004).用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅.半导体学报,25(3),358-360. |
MLA | 孙加兴,et al."用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅".半导体学报 25.3(2004):358-360. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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