GaAs背面通孔刻蚀技术研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 陈震; 魏珂 ; 王润梅; 刘新宇; 吴德馨
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 10期号:2页码:255-258 |
| 关键词 | 通孔 感应离子耦合（icp） 干法刻蚀 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术，并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术，采用CCl2F2／Ar混合气体，对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl2F2／Ar混合气体组分配比，在CCl2F2流量为200sccm，Ar流量为10sccm，源功率Pa=400W，偏压功率Pb=14W，自偏压Vb=120V，真空度P=43Pa时，得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4．3μm／min)。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1072]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,陈震,魏珂,等. GaAs背面通孔刻蚀技术研究[J]. 功能材料与器件学报,2004,10(2):255-258. |
| APA | 刘训春,陈震,魏珂,王润梅,刘新宇,&吴德馨.(2004).GaAs背面通孔刻蚀技术研究.功能材料与器件学报,10(2),255-258. |
| MLA | 刘训春,et al."GaAs背面通孔刻蚀技术研究".功能材料与器件学报 10.2(2004):255-258. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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