GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹军舰 ; 张海英; 李海鸥; 叶甜春
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:12页码:5，2281-2285 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 关键词 | 赝配高电子迁移率晶体管 增强型 耗尽型 阈值电压 Gaas |
| 英文摘要 | 提出了一种新结构单片集成增强／耗尽型（E／D）InGaP／AlGaAs／InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMTs）．外延层材料通过分子束外延技术生长，在室温下，其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm^2／（V·s）和1．34×10^-12cm^-2．首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法．研制出了单片集成E／D型PHEMTs，获得良好的直流和交流特性，最大饱和漏电流密度分别为300和340mA／mm，跨导为350和300mS／mm，阈值电压为0．2和-0．4V，增强型的fT和fmax为10．3和12．4GHz，耗尽型的fT和fmax为12．8和14．7GHz．增强／耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1088]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹军舰,张海英,李海鸥,等. GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs[J]. 半导体学报,2005,26(12):5，2281-2285. |
| APA | 尹军舰,张海英,李海鸥,&叶甜春.(2005).GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs.半导体学报,26(12),5，2281-2285. |
| MLA | 尹军舰,et al."GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs".半导体学报 26.12(2005):5，2281-2285. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。