全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 李瑞贞
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:12页码:6，2303-2308 |
| 关键词 | 全耗尽soi Mosfets 表面势 阚值电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阚值电压．通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较，验证了该模型，并取得了很好的一致性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1090]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,李瑞贞. 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型[J]. 半导体学报,2005,26(12):6，2303-2308. |
| APA | 韩郑生,&李瑞贞.(2005).全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型.半导体学报,26(12),6，2303-2308. |
| MLA | 韩郑生,et al."全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型".半导体学报 26.12(2005):6，2303-2308. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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