中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

文献类型:期刊论文

作者韩郑生; 李瑞贞
刊名半导体学报
出版日期2005
卷号26期号:12页码:6,2303-2308
关键词全耗尽soi Mosfets 表面势 阚值电压
ISSN号0253-4177
英文摘要

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阚值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1090]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
韩郑生,李瑞贞. 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型[J]. 半导体学报,2005,26(12):6,2303-2308.
APA 韩郑生,&李瑞贞.(2005).全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型.半导体学报,26(12),6,2303-2308.
MLA 韩郑生,et al."全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型".半导体学报 26.12(2005):6,2303-2308.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。