全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型
文献类型:期刊论文
作者 | 韩郑生![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 26期号:12页码:6,2303-2308 |
关键词 | 全耗尽soi Mosfets 表面势 阚值电压 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阚值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1090] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,李瑞贞. 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型[J]. 半导体学报,2005,26(12):6,2303-2308. |
APA | 韩郑生,&李瑞贞.(2005).全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型.半导体学报,26(12),6,2303-2308. |
MLA | 韩郑生,et al."全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型".半导体学报 26.12(2005):6,2303-2308. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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