提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术，与其它体接触技术相比，该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应。形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P＋杂质注入，然后形成非对称源区浅结结构。然后生长硅化物电极，厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓度的体区形成欧姆接触。二维器件模拟表明该结构可以有效降低强反型区体区电势，从而抑制了浮体效应。