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等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展

文献类型:期刊论文

作者刘明; 王巍; 叶甜春; 陈大鹏
刊名半导体技术
出版日期2005
卷号30期号:12页码:4,1-4
关键词等离子体刻蚀 先进过程控制 实时控制 流程与流程控制
ISSN号1003-353X
英文摘要

先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势.

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1112]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,王巍,叶甜春,等. 等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展[J]. 半导体技术,2005,30(12):4,1-4.
APA 刘明,王巍,叶甜春,&陈大鹏.(2005).等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展.半导体技术,30(12),4,1-4.
MLA 刘明,et al."等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展".半导体技术 30.12(2005):4,1-4.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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