等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展
文献类型:期刊论文
作者 | 刘明![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体技术
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 30期号:12页码:4,1-4 |
关键词 | 等离子体刻蚀 先进过程控制 实时控制 流程与流程控制 |
ISSN号 | 1003-353X |
英文摘要 | 先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1112] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,王巍,叶甜春,等. 等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展[J]. 半导体技术,2005,30(12):4,1-4. |
APA | 刘明,王巍,叶甜春,&陈大鹏.(2005).等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展.半导体技术,30(12),4,1-4. |
MLA | 刘明,et al."等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展".半导体技术 30.12(2005):4,1-4. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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