0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵红旭; 孙宝刚; 吴峻峰; 钟兴华 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:11页码:2080-2084 |
| 关键词 | S01 槽栅pmosfet 亚阈值 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 制造了栅长0．1μm，栅氧厚度5．6nm，栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET．给出了器件的转移特性和输出特性．在Udn=-1．5V时，其饱和漏电流为380μA，关态泄漏电流为1．9nA；在Vda=-0．1V下的亚阈值斜率为115mV／dec，DIBL因子为70．7mV／V．实验结果表明，0．1μmSOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1114]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵红旭,孙宝刚,吴峻峰,等. 0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性[J]. 半导体学报,2005,26(11):2080-2084. |
| APA | 邵红旭,孙宝刚,吴峻峰,&钟兴华.(2005).0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性.半导体学报,26(11),2080-2084. |
| MLA | 邵红旭,et al."0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性".半导体学报 26.11(2005):2080-2084. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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