双栅氧CMOS工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李桦; 宋李梅 ; 杜寰; 韩郑生
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 22期号:11页码:3，5-6,9 |
| 关键词 | 双栅氧工艺 高压cmos流程 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 英文摘要 | 双栅氧工艺（dual gate oxide）在高压CMOS流程中得到了广泛的应用，此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上.文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣.在此基础上，提出了一种实现双栅氧工艺的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1118]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李桦,宋李梅,杜寰,等. 双栅氧CMOS工艺研究[J]. 微电子学与计算机,2005,22(11):3，5-6,9. |
| APA | 李桦,宋李梅,杜寰,&韩郑生.(2005).双栅氧CMOS工艺研究.微电子学与计算机,22(11),3，5-6,9. |
| MLA | 李桦,et al."双栅氧CMOS工艺研究".微电子学与计算机 22.11(2005):3，5-6,9. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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