室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 王从舜; 谢常青; 易里成荣; 叶甜春
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:10页码:4，1871-1874 |
| 关键词 | 共振隧穿二极管 峰谷电流比 峰电流密度 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs／GaAs／In0.1Ga0．9As／GaAs／AlAs双势垒共振隧穿二极管，在GaAs层中加入In0.1Ga0．9As层用以降低势垒两边的势阱深度，从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度，为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性，使用了独特形状的集电极，总的电流密度也因此提高，薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度，在室温下测得其峰谷电流比高达13．98，峰电流密度大于89kA／cm^2． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1126]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,王从舜,谢常青,等. 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管[J]. 半导体学报,2005,26(10):4，1871-1874. |
| APA | 刘明,王从舜,谢常青,易里成荣,&叶甜春.(2005).室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管.半导体学报,26(10),4，1871-1874. |
| MLA | 刘明,et al."室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管".半导体学报 26.10(2005):4，1871-1874. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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