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采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压

文献类型:期刊论文

作者吴峻峰; 钟兴华; 李多力; 毕津顺; 海潮和
刊名半导体学报
出版日期2005
卷号26期号:10页码:6,1875-1880
关键词部分耗尽soi 半背沟道 击穿 翘曲效应
ISSN号0253-4178
英文摘要制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说,在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现,并且背栅阈值电压没有太大的变化.数值模拟表明降低的电场有助于击穿特性的提高和翘曲现象的延缓.详细分析了提高击穿特性和延缓翘曲效应的原因.
语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1128]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴峻峰,钟兴华,李多力,等. 采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压[J]. 半导体学报,2005,26(10):6,1875-1880.
APA 吴峻峰,钟兴华,李多力,毕津顺,&海潮和.(2005).采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压.半导体学报,26(10),6,1875-1880.
MLA 吴峻峰,et al."采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压".半导体学报 26.10(2005):6,1875-1880.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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