采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴峻峰; 钟兴华; 李多力; 毕津顺; 海潮和 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:10页码:6，1875-1880 |
| 关键词 | 部分耗尽soi 半背沟道 击穿 翘曲效应 |
| ISSN号 | 0253-4178 |
| 英文摘要 | 制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现，并且背栅阈值电压没有太大的变化．数值模拟表明降低的电场有助于击穿特性的提高和翘曲现象的延缓．详细分析了提高击穿特性和延缓翘曲效应的原因． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1128]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴峻峰,钟兴华,李多力,等. 采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压[J]. 半导体学报,2005,26(10):6，1875-1880. |
| APA | 吴峻峰,钟兴华,李多力,毕津顺,&海潮和.(2005).采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压.半导体学报,26(10),6，1875-1880. |
| MLA | 吴峻峰,et al."采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压".半导体学报 26.10(2005):6，1875-1880. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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