高压nMOS器件的设计与研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 杜寰; 宋李梅; 李桦
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:8页码:6，1489-1494 |
| 关键词 | 高压nmos器件 模拟 制造 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件．测试结果表明器件的击穿电压为114V，阈值电压和最大驱动能力分别为1．02V和7．5mA（W／L=50）．详细比较了器件的模拟结果和测试数据，并且提出了一种改善其击穿性能的方法． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1130]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,杜寰,宋李梅,等. 高压nMOS器件的设计与研制[J]. 半导体学报,2005,26(8):6，1489-1494. |
| APA | 韩郑生,杜寰,宋李梅,&李桦.(2005).高压nMOS器件的设计与研制.半导体学报,26(8),6，1489-1494. |
| MLA | 韩郑生,et al."高压nMOS器件的设计与研制".半导体学报 26.8(2005):6，1489-1494. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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