采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
文献类型:期刊论文
作者 | 刘新宇![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 电子器件
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 28期号:3页码:3,479-481 |
关键词 | Algan |
ISSN号 | 1005-9490 |
英文摘要 | 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1140] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘键,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):3,479-481. |
APA | 刘新宇.,刘键.,和致经.,陈晓娟.,陈宏.,...&邵刚.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),3,479-481. |
MLA | 刘新宇,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):3,479-481. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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