采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN／GaN MOS-HFET器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 刘键; 和致经; 陈晓娟; 陈宏; 周钧铭; 王晓亮; 吴德馨; 魏珂; 邵刚
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 28期号:3页码:3，479-481 |
| 关键词 | Algan |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 为了进一步减小栅漏电，提高击穿电压，将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中，研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层，新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm，栅宽80μm，测得最大饱和输出电流为784mA／mm，最大跨导为44．25ms／mm，最高栅偏压＋6V。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1140]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘键,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN／GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):3，479-481. |
| APA | 刘新宇.,刘键.,和致经.,陈晓娟.,陈宏.,...&邵刚.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN／GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),3，479-481. |
| MLA | 刘新宇,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN／GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):3，479-481. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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