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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

文献类型:期刊论文

作者刘新宇; 刘键; 和致经; 陈晓娟; 陈宏; 周钧铭; 王晓亮; 吴德馨; 魏珂; 邵刚
刊名电子器件
出版日期2005
卷号28期号:3页码:3,479-481
关键词Algan
ISSN号1005-9490
英文摘要

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1140]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘新宇,刘键,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):3,479-481.
APA 刘新宇.,刘键.,和致经.,陈晓娟.,陈宏.,...&邵刚.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),3,479-481.
MLA 刘新宇,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):3,479-481.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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