随着器件尺寸的不断缩小，传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题，以至于降低电路性能，而工作在低压低功耗领域的SOI DTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOI DTMOS器件．其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能．具体分析了优化器件性能的五种方案，探讨了SOI DTMOS存在的优势和不足。最后指出，具有出色性能的SOI DTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地。