C波段0．75mm AIGaN／GaN功率器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘建 ; 刘新宇; 陈晓娟; 吴德馨; 和致经
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:9页码:4，1804-1807 |
| 关键词 | Aigan／gan Hemt |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0．8μm AlGaN／GaN微波器件，采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层，直流特性从0．56A／mm上升到0．66A／mm，跨导从158mS／mm增为170mS／mm，截止频率由10．7GHz增大到13．7GHz，同时在4GHz下，Vds=25V，Kgs=-2．5V，输出功率由0．90W增至1．79W，输出功率密度达到2．4W／mm．钝化有效地改善了器件的输出特性，减小和消除了表面寄生栅对器件的影响． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1144]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建,刘新宇,陈晓娟,等. C波段0．75mm AIGaN／GaN功率器件[J]. 半导体学报,2005,26(9):4，1804-1807. |
| APA | 刘建,刘新宇,陈晓娟,吴德馨,&和致经.(2005).C波段0．75mm AIGaN／GaN功率器件.半导体学报,26(9),4，1804-1807. |
| MLA | 刘建,et al."C波段0．75mm AIGaN／GaN功率器件".半导体学报 26.9(2005):4，1804-1807. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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