一种抗辐照SOI反相器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 司红; 钱鹤; 韩郑生 ; 赵洪辰
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:9页码:4，1829-1832 |
| 关键词 | 辐照效应 反相器 输出高电平 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 制备了一种抗辐照SOI反相器，增加了一个上拉pMOSl和一个额外的nMOSl．当受到辐照后，pMOSl和nMOSl输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小，降低了漏电流，有效地提高了输出端“高”电平．实验证明，该反相器在经受6×10^5rad（Si）的辐照后，输出“高”电平仍然未下降． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1146]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,司红,钱鹤,等. 一种抗辐照SOI反相器[J]. 半导体学报,2005,26(9):4，1829-1832. |
| APA | 海潮和,司红,钱鹤,韩郑生,&赵洪辰.(2005).一种抗辐照SOI反相器.半导体学报,26(9),4，1829-1832. |
| MLA | 海潮和,et al."一种抗辐照SOI反相器".半导体学报 26.9(2005):4，1829-1832. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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