在Synopsys TCAD软件环境下，结合中国科学院微电子研究所0．8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性，高压CMOS器件均采用LDMOS结构；根据RESURF技术，对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明，高压NMOS器件源漏击穿电压为220V；阈值电压和驱动能力分别为0．8V和1×10^-4 A／μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135V；阈值电压和驱动能力分别为-9．7V和1．8×10^-4 A／μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。