文章描述了氧等离子干法剥离光刻胶中MOS器件的性能退化问题．并且制各了不同天线比AR（Antenna Ratio），相同器件结构的NMOS器件来检测器件的退化。实验结果发现栅漏电流密度Jg和阈值电压Vt漂移会随着Al的天线面积的增加而非线性地增加．尤其表现在闯值电压漂移上。运用增加电流应力时间的测试来模拟器件在等离子反应腔中所受的实际应力．发现了与天线比增加时闯值电压变化趋势相同．表明在氧等离子气氛中器件受到了负电应力的影响。最后，基于此次实验的结果．在器件的设计，工艺参数的制定方面提出了一些减小干法剥离光刻胶工艺带来器件性能退化的建议。