体硅CMOS FinFET结构与特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 殷华湘 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 33期号:8页码:3，1484-1486 |
| 关键词 | 鱼脊形场效应晶体管 体硅 凹槽器件 新结构 Cmos |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 英文摘要 | 建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构．本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上，利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响，同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空问．运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOS FinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中．结构分析与实验结果证明了体硅CMOS FinFET在未来电路中的应用前景． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1160]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,殷华湘. 体硅CMOS FinFET结构与特性研究[J]. 电子学报,2005,33(8):3，1484-1486. |
| APA | 徐秋霞,&殷华湘.(2005).体硅CMOS FinFET结构与特性研究.电子学报,33(8),3，1484-1486. |
| MLA | 徐秋霞,et al."体硅CMOS FinFET结构与特性研究".电子学报 33.8(2005):3，1484-1486. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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