SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董立军 ; 王小波; 刘渝珍; 奎热西; 陈大鹏
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:5，502-506 |
| 关键词 | 纳米硅镶嵌结构 Sinx膜 光致发光 低压化学气相沉积 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 英文摘要 | 低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜，在3．75eV的激光激发下，室温下发射1～3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下（900℃），选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时，所得薄膜表现出不同的荧光属性，荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析，认为不同配比下，生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同，这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1162]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董立军,王小波,刘渝珍,等. SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响[J]. 发光学报,2005,26(4):5，502-506. |
| APA | 董立军,王小波,刘渝珍,奎热西,&陈大鹏.(2005).SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响.发光学报,26(4),5，502-506. |
| MLA | 董立军,et al."SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响".发光学报 26.4(2005):5，502-506. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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