一种新型抗辐照SOI隔离结构
文献类型:期刊论文
作者 | 司红; 赵洪辰; 海潮和; 韩郑生![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 26期号:7页码:4,1291-1294 |
关键词 | 隔离结构 抗辐照 Soi 薄sio2 多晶硅 Sio2多层膜 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜,利用这种结构制备的SOI器件在经受3×10^3rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1166] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 司红,赵洪辰,海潮和,等. 一种新型抗辐照SOI隔离结构[J]. 半导体学报,2005,26(7):4,1291-1294. |
APA | 司红,赵洪辰,海潮和,韩郑生,&钱鹤.(2005).一种新型抗辐照SOI隔离结构.半导体学报,26(7),4,1291-1294. |
MLA | 司红,et al."一种新型抗辐照SOI隔离结构".半导体学报 26.7(2005):4,1291-1294. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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