一种新型抗辐照SOI隔离结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 司红; 赵洪辰; 海潮和; 韩郑生 ; 钱鹤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:7页码:4，1291-1294 |
| 关键词 | 隔离结构 抗辐照 Soi 薄sio2 多晶硅 Sio2多层膜 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构，它包含了薄SiO2／多晶硅／SiO2多层膜，利用这种结构制备的SOI器件在经受3×10^3rad（Si）的辐照后亚阈值特性未发生明显变化，漏电流也无增加，说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1166]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 司红,赵洪辰,海潮和,等. 一种新型抗辐照SOI隔离结构[J]. 半导体学报,2005,26(7):4，1291-1294. |
| APA | 司红,赵洪辰,海潮和,韩郑生,&钱鹤.(2005).一种新型抗辐照SOI隔离结构.半导体学报,26(7),4，1291-1294. |
| MLA | 司红,et al."一种新型抗辐照SOI隔离结构".半导体学报 26.7(2005):4，1291-1294. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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