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一种新型抗辐照SOI隔离结构

文献类型:期刊论文

作者司红; 赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤
刊名半导体学报
出版日期2005
卷号26期号:7页码:4,1291-1294
关键词隔离结构 抗辐照 Soi 薄sio2 多晶硅 Sio2多层膜
ISSN号0253-4177
英文摘要

制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜,利用这种结构制备的SOI器件在经受3×10^3rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1166]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
司红,赵洪辰,海潮和,等. 一种新型抗辐照SOI隔离结构[J]. 半导体学报,2005,26(7):4,1291-1294.
APA 司红,赵洪辰,海潮和,韩郑生,&钱鹤.(2005).一种新型抗辐照SOI隔离结构.半导体学报,26(7),4,1291-1294.
MLA 司红,et al."一种新型抗辐照SOI隔离结构".半导体学报 26.7(2005):4,1291-1294.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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