CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘倜; 欧文 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:7页码:3，1434-1436 |
| 关键词 | Flash Memory 漏电流 电子势垒 F化隧穿氧化层 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 嵌入式FlashM emory要求低的工作电压．采用反应离子刻蚀技术，用CF4气体在低功率下对硅片做预处理，再热生长薄氧化层，从而在氧化层中引入F，降低氧化层势垒：势垒高度从3．05ev降低到2．5ev，隧穿电流增加，从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1170]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘倜,欧文. CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究[J]. 半导体学报,2005,26(7):3，1434-1436. |
| APA | 刘倜,&欧文.(2005).CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究.半导体学报,26(7),3，1434-1436. |
| MLA | 刘倜,et al."CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究".半导体学报 26.7(2005):3，1434-1436. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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