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富硅氮化硅薄膜的荧光发射

文献类型:期刊论文

作者董立军; 王小波; 陈大鹏; 刘渝珍
刊名发光学报
出版日期2005
卷号26期号:3页码:5,380-384
关键词硅镶嵌的sinx膜 光致发光 内应力 快速退 (rta)
ISSN号1000-7032
英文摘要

室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000~1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1178]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
董立军,王小波,陈大鹏,等. 富硅氮化硅薄膜的荧光发射[J]. 发光学报,2005,26(3):5,380-384.
APA 董立军,王小波,陈大鹏,&刘渝珍.(2005).富硅氮化硅薄膜的荧光发射.发光学报,26(3),5,380-384.
MLA 董立军,et al."富硅氮化硅薄膜的荧光发射".发光学报 26.3(2005):5,380-384.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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