富硅氮化硅薄膜的荧光发射
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董立军 ; 王小波; 陈大鹏; 刘渝珍
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:3页码:5，380-384 |
| 关键词 | 硅镶嵌的sinx膜 光致发光 内应力 快速退 （rta） |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 英文摘要 | 室温下在3．45eV的激光激发下，对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中，观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2．7，2．69，2．4，2．3，2．1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明，该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H复合膜，分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000～1200℃快速退火(RTA)处理，原PL谱蓝移并只出现了峰位为3．0，2．8eV的两个紫蓝色荧光的发射，用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1178]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董立军,王小波,陈大鹏,等. 富硅氮化硅薄膜的荧光发射[J]. 发光学报,2005,26(3):5，380-384. |
| APA | 董立军,王小波,陈大鹏,&刘渝珍.(2005).富硅氮化硅薄膜的荧光发射.发光学报,26(3),5，380-384. |
| MLA | 董立军,et al."富硅氮化硅薄膜的荧光发射".发光学报 26.3(2005):5，380-384. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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