高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王巍; 叶甜春 ; 陈大鹏; 刘明; 李兵
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 35期号:3页码:5，236-239,244 |
| 关键词 | 等离子体 刻蚀工艺 终点检测 Oes Iep |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理，综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新进展，讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用，以及所面临的挑战。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1182]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王巍,叶甜春,陈大鹏,等. 高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术[J]. 微电子学,2005,35(3):5，236-239,244. |
| APA | 王巍,叶甜春,陈大鹏,刘明,&李兵.(2005).高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术.微电子学,35(3),5，236-239,244. |
| MLA | 王巍,et al."高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术".微电子学 35.3(2005):5，236-239,244. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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